Výrobca Číslo produktu:
SPD50N03S2L-06
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
SPD50N03S2L-06-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventár:
12807052
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SPD50N03S2L-06 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 85µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2530 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
136W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3-11
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
SPD50N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IFEINFSPD50N03S2L-06
2156-SPD50N03S2L-06-ITTR
SPD50N03S2L06INCT
SPD50N03S2L06
SPD50N03S2L06INTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STD100N3LF3
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STD100N3LF3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.71
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SPD50N03S2L06T
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1664
ČÍSLO DIELU
SPD50N03S2L06T-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.65
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPW65R048CFDAFKSA1
MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3
IRFC3205ZEB
MOSFET N-CH WAFER
IRFR1205TRRPBF
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
