Výrobca Číslo produktu:
SPI07N60C3XKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
SPI07N60C3XKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO262-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventár:
12806752
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SPI07N60C3XKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7.3A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.9V @ 350µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
790 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
83W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO262-3-1
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
SPI07N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Iné mená
INFINFSPI07N60C3XKSA1
2156-SPI07N60C3XKSA1
SP000680976
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STI24NM60N
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
981
ČÍSLO DIELU
STI24NM60N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.27
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
FQI8N60CTU
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6985
ČÍSLO DIELU
FQI8N60CTU-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.12
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF1310NSTRRPBF
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
IRLR3715ZTRPBF
MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
IRFZ44ESTRLPBF
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK