SPI20N65C3XKSA1
Výrobca Číslo produktu:

SPI20N65C3XKSA1

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

SPI20N65C3XKSA1-DG

Popis:

MOSFET N-CH 650V 20.7A TO262-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1

Inventár:

12855344
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SPI20N65C3XKSA1 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20.7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.9V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2400 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
208W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO262-3-1
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
SPI20N

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
500
Iné mená
SP000681010
SPI20N65C3IN
SPI20N65C3-DG
SPI20N65C3IN-DG
IFEINFSPI20N65C3XKSA1
SPI20N65C3X
SPI20N65C3XK
2156-SPI20N65C3XKSA1-IT
SP000014525
SPI20N65C3

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
STI20N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1000
ČÍSLO DIELU
STI20N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.27
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STI33N65M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
9000
ČÍSLO DIELU
STI33N65M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.70
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STI21N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STI21N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.92
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPI65R190C6XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
480
ČÍSLO DIELU
IPI65R190C6XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.52
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STI24NM60N
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
981
ČÍSLO DIELU
STI24NM60N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.27
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
onsemi

MPF960

MOSFET N-CH 60V 2A TO92-3

renesas-electronics-america

NP89N055NUK-S18-AY

MOSFET N-CH 55V 90A TO262

renesas-electronics-america

NP55N055SUG-E1-AY

MOSFET N-CH 55V 55A TO252

renesas-electronics-america

RJK5018DPK-00#T0

MOSFET N-CH 500V 35A TO3P