Výrobca Číslo produktu:
SPI21N10
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
SPI21N10-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 21A TO262-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 21A (Tc) 90W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventár:
12807112
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SPI21N10 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
SIPMOS®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
21A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
80mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 44µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
38.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
865 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
90W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO262-3-1
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
SPI21N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
IFEINFSPI21N10
SPI21N10IN
2156-SPI21N10-IT
SPI21N10XK
SPI21N10X
SP000013843
SPI21N10-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF540ZLPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
862
ČÍSLO DIELU
IRF540ZLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.53
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRF540NLPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5178
ČÍSLO DIELU
IRF540NLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.63
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SPD50N03S2L06GBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IRLU9343PBF
MOSFET P-CH 55V 20A I-PAK
IRL2505PBF
MOSFET N-CH 55V 104A TO220AB
