Výrobca Číslo produktu:
SPP08N80C3XK
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
SPP08N80C3XK-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventár:
12806604
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SPP08N80C3XK Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
650mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.9V @ 470µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1100 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
104W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
SPP08N
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
SP000013704
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SPP08N80C3XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1997
ČÍSLO DIELU
SPP08N80C3XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.00
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SPD04N60C3
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
VP0550N3-G-P013
MOSFET P-CH 500V 54MA TO92-3
IRL3714ZS
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
