Výrobca Číslo produktu:
SPP100N06S2L-05
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
SPP100N06S2L-05-DG
Popis:
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventár:
12806790
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SPP100N06S2L-05 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
7530 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
300W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-3-1
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
SPP100N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Iné mená
SP000013721
SPP100N06S2L05
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFP230N075T2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
24
ČÍSLO DIELU
IXFP230N075T2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.38
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFS7434-7PPBF
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
IRLR014NTRL
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
IRL40S212
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK