Výrobca Číslo produktu:
SPP10N10
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
SPP10N10-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventár:
12806489
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SPP10N10 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
SIPMOS®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10.3A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
170mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 21µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
19.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
426 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
50W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-3-1
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
SPP10N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Iné mená
INFINFSPP10N10
2156-SPP10N10-IT
SPP10N10X
SP000013844
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF540ZPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
41160
ČÍSLO DIELU
IRF540ZPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.46
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRL530PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
10171
ČÍSLO DIELU
IRL530PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.56
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPW60R045CPFKSA1
MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3
IRLR2905ZPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
SPS02N60C3
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
