Výrobca Číslo produktu:
SPU30P06P
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
SPU30P06P-DG
Popis:
MOSFET P-CH 60V 30A TO251-3
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 30A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventár:
12805508
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SPU30P06P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
SIPMOS®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
75mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1.7mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1535 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO251-3
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
SPU30P
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Iné mená
SPU30P06P-DG
SPU30P06PX
SPU30P06PXK
2156-SPU30P06P-IT
INFINFSPU30P06P
SP000012844
SPU30P06PIN
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFU5305PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IRFU5305PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.38
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPP062NE7N3GXKSA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
IRL40B212
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
IPP057N06N3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3