AUIRF1010Z
Výrobca Číslo produktu:

AUIRF1010Z

Product Overview

Výrobca:

International Rectifier

Číslo dielu:

AUIRF1010Z-DG

Popis:

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventár:

12268 Ks Nové Originálne Na Sklade
12946691
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

AUIRF1010Z Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
75A (Tc)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2840 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
140W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
281
Iné mená
2156-AUIRF1010Z
INFIRFAUIRF1010Z

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
fairchild-semiconductor

FDD8782

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FQP2N80

MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3

fairchild-semiconductor

FDPF680N10T

MOSFET N-CH 100V 12A TO220F

fairchild-semiconductor

FQI8N60CTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7