AUIRF7799L2TR
Výrobca Číslo produktu:

AUIRF7799L2TR

Product Overview

Výrobca:

International Rectifier

Číslo dielu:

AUIRF7799L2TR-DG

Popis:

MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFT
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 375A (Tc) 4.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8

Inventár:

5733 Ks Nové Originálne Na Sklade
12978292
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

AUIRF7799L2TR Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
375A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
38mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6714 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
4.3W (Ta), 125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DirectFET™ Isometric L8
Balenie / puzdro
DirectFET™ Isometric L8

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
AUIRF7799L2TR Datasheet

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
68
Iné mená
INFIRFAUIRF7799L2TR
2156-AUIRF7799L2TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

HTSUS
0000.00.0000
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
nxp-semiconductors

BUK9624-55A118

NOW NEXPERIA BUK9624-55A - POWER

vishay-siliconix

SI1467DH-T1-BE3

MOSFET P-CH 20V 3A/2.7A SC70-6

international-rectifier

AUIRFSL6535

MOSFET N-CH 300V 19A TO262-3-901

international-rectifier

AUIRFR4292

MOSFET N-CH 250V 9.3A DPAK