AUIRL7736M2TR
Výrobca Číslo produktu:

AUIRL7736M2TR

Product Overview

Výrobca:

International Rectifier

Číslo dielu:

AUIRL7736M2TR-DG

Popis:

MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 179A (Tc) 2.5W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric M4

Inventár:

13183 Ks Nové Originálne Na Sklade
12946322
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

AUIRL7736M2TR Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
179A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3mOhm @ 67A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 150µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
78 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5055 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 63W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DirectFET™ Isometric M4
Balenie / puzdro
DirectFET™ Isometric M4

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
AUIRL7736M2TR Datasheet

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
163
Iné mená
INFIRFAUIRL7736M2TR
2156-AUIRL7736M2TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
international-rectifier

AUIRLR2703TRL

MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

fairchild-semiconductor

FCD900N60Z

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

infineon-technologies

IPA60R280CFDD7

IPA60R280 - 600V COOLMOS N-CHANN

fairchild-semiconductor

FCP600N60Z

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N