Výrobca Číslo produktu:
IRF6711STRPBF
Product Overview
Výrobca:
International Rectifier
Číslo dielu:
IRF6711STRPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 19A/84A DIRECTFT
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 19A (Ta), 84A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric SQ
Inventár:
4800 Ks Nové Originálne Na Sklade
12940458
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF6711STRPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
DirectFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
19A (Ta), 84A (Tc)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.8mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.35V @ 25µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1810 pF @ 13 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DirectFET™ Isometric SQ
Balenie / puzdro
DirectFET™ Isometric SQ
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
341
Iné mená
INFIRFIRF6711STRPBF
2156-IRF6711STRPBF
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
HAT1095C-EL-E
2A, 12V, P-CHANNEL MOSFET
FS70KM-06#B00
70A, 100V, N-CHANNEL MOSFET
FDG330P
MOSFET P-CH 12V 2A SC88