IRF6797MTRPBF
Výrobca Číslo produktu:

IRF6797MTRPBF

Product Overview

Výrobca:

International Rectifier

Číslo dielu:

IRF6797MTRPBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 25V 36A/210A DIRECT
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 36A (Ta), 210A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX

Inventár:

11833 Ks Nové Originálne Na Sklade
12947483
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRF6797MTRPBF Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
HEXFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
36A (Ta), 210A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.4mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.35V @ 150µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
68 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5790 pF @ 13 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DIRECTFET™ MX
Balenie / puzdro
DirectFET™ Isometric MX

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
241
Iné mená
INFINFIRF6797MTRPBF
2156-IRF6797MTRPBF

Klasifikácia životného prostredia a exportu

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
nxp-semiconductors

PSMN2R9-30MLC,115

30 V, 2.95 MILLI OHM LOGIC LEVEL

international-rectifier

IRFB4410ZGPBF

IRFB4410 - 12V-300V N-CHANNEL PO

infineon-technologies

SS07N70AKMA1046

SS07N70 - 650V AND 700V COOLMOS

fairchild-semiconductor

FQI7N60TU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7