IRFAC50
Výrobca Číslo produktu:

IRFAC50

Product Overview

Výrobca:

International Rectifier

Číslo dielu:

IRFAC50-DG

Popis:

N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 10.6A 150W Through Hole TO-204AA (TO-3)

Inventár:

129 Ks Nové Originálne Na Sklade
12933227
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRFAC50 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Balenie
Bulk
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10.6A
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
-
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max.) @ Id
-
Vgs (max.)
-
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150W
Prevádzková teplota
-
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-204AA (TO-3)
Balenie / puzdro
TO-204AA, TO-3

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
41
Iné mená
2156-IRFAC50
IRFIRFIRFAC50

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
renesas-electronics-america

2SK3140-02-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

CPH3445-TL-E

NCH 4V DRIVE SERIES

renesas-electronics-america

2SK3055(1)-AZ

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

CPH5811-TL-E

NCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES