Výrobca Číslo produktu:
IXFA102N15T
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFA102N15T-DG
Popis:
MOSFET N-CH 150V 102A TO263
Podrobný popis:
N-Channel 150 V 102A (Tc) 455W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
Inventár:
12913446
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFA102N15T Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Trench
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
102A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
18mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5220 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
455W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263AA (IXFA)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IXFA102
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SUM85N15-19-E3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
875
ČÍSLO DIELU
SUM85N15-19-E3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.60
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXTA102N15T
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
570
ČÍSLO DIELU
IXTA102N15T-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.15
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI7358ADP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
IRFZ24S
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
IXFP16N50P
MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
