Výrobca Číslo produktu:
IXFA130N10T
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFA130N10T-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 130A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
Inventár:
12912529
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFA130N10T Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Trench
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
130A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
9.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5080 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
360W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263AA (IXFA)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IXFA130
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RSJ650N10TL
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
970
ČÍSLO DIELU
RSJ650N10TL-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.94
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRFS4410TRLPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4152
ČÍSLO DIELU
IRFS4410TRLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.66
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
BUK768R1-100E,118
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6988
ČÍSLO DIELU
BUK768R1-100E,118-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.19
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRFS4410ZTRLPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
10843
ČÍSLO DIELU
IRFS4410ZTRLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.19
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
SQM100N10-10_GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
217
ČÍSLO DIELU
SQM100N10-10_GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.30
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI4880DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
IRFR320TR
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
IXTQ220N075T
MOSFET N-CH 75V 220A TO3P
