Výrobca Číslo produktu:
IXFA22N65X2
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFA22N65X2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 22A TO263
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 22A (Tc) 390W (Tc) Surface Mount TO-263HV
Inventár:
250 Ks Nové Originálne Na Sklade
12819760
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFA22N65X2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Ultra X2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
22A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
160mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.5V @ 1.5mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2310 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
390W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263HV
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IXFA22
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
IXFA22N65X2X
IXFA22N65X2XINACTIVE
IXFA22N65X2X-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTA28P065T
MOSFET P-CH 65V 28A TO263
IXFT140N20X3HV
MOSFET N-CH 200V 140A TO268HV
IXTQ130N10T
MOSFET N-CH 100V 130A TO3P