Výrobca Číslo produktu:
IXFA7N100P-TRL
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFA7N100P-TRL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 7A TO263
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 7A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
13270854
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFA7N100P-TRL Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
HiPerFET™, Polar
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1000 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
6V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2590 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
300W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IXFA7N100
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
238-IXFA7N100P-TRLTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTA6N100D2-TRL
MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
IXFA10N80P-TRL
MOSFET N-CH 800V 10A TO263
IXTT6N120-TRL
MOSFET N-CH 1200V 6A TO268
