Výrobca Číslo produktu:
IXFA7N80P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFA7N80P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 7A TO263
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
Inventár:
257 Ks Nové Originálne Na Sklade
12819507
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFA7N80P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Polar
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1890 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
200W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263AA (IXFA)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IXFA7N80
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTA05N100HV
MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
IXTX40P50P
MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247-3
IXTH75N15
MOSFET N-CH 150V 75A TO247
