IXFA80N25X3
Výrobca Číslo produktu:

IXFA80N25X3

Product Overview

Výrobca:

IXYS

Číslo dielu:

IXFA80N25X3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 80A (Tc) 390W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventár:

231 Ks Nové Originálne Na Sklade
12912087
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IXFA80N25X3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Ultra X3
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
16mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 1.5mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5430 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
390W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IXFA80

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

IRFS11N50A

MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK

vishay-siliconix

SI5475BDC-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

vishay-siliconix

3N163-E3

MOSFET P-CH 40V 50MA TO72

vishay-siliconix

IRFU9010

MOSFET P-CH 50V 5.3A TO251AA