Výrobca Číslo produktu:
IXFB30N120P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFB30N120P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 30A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS264™
Inventár:
315 Ks Nové Originálne Na Sklade
12819596
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFB30N120P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Polar
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
350mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
6.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
310 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
22500 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1250W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PLUS264™
Balenie / puzdro
TO-264-3, TO-264AA
Základné číslo produktu
IXFB30
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
25
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTQ240N055T
MOSFET N-CH 55V 240A TO3P
IXTT75N10
MOSFET N-CH 100V 75A TO268
IXTH102N25T
MOSFET N-CH 250V 102A TO247
