Výrobca Číslo produktu:
IXFB40N110P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFB40N110P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
Podrobný popis:
N-Channel 1100 V 40A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS264™
Inventár:
240 Ks Nové Originálne Na Sklade
12907772
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFB40N110P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Polar
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
40A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
260mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
6.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
310 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
19000 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1250W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PLUS264™
Balenie / puzdro
TO-264-3, TO-264AA
Základné číslo produktu
IXFB40
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
25
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2N6660-2
MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
IXTY2N65X2
MOSFET N-CH 650V 2A TO252
IRF820ALPBF
MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK
