Výrobca Číslo produktu:
IXFC16N80P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFC16N80P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 9A ISOPLUS220
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 9A (Tc) 150W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Inventár:
12820951
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFC16N80P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
HiPerFET™, PolarHT™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
650mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 4mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4600 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
ISOPLUS220™
Balenie / puzdro
ISOPLUS220™
Základné číslo produktu
IXFC16N80
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FCPF650N80Z
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
986
ČÍSLO DIELU
FCPF650N80Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.42
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STP10NK80Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1
ČÍSLO DIELU
STP10NK80Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.84
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FCPF850N80Z
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1000
ČÍSLO DIELU
FCPF850N80Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.16
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFL80N50Q2
MOSFET N-CH 500V 55A ISOPLUS264
IXFK120N20
MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
IXTK60N50L2
MOSFET N-CH 500V 60A TO264
