Výrobca Číslo produktu:
IXFC80N08
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFC80N08-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 230W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Inventár:
12821502
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFC80N08 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
HiPerFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 4mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4800 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
230W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
ISOPLUS220™
Balenie / puzdro
ISOPLUS220™
Základné číslo produktu
IXFC80N08
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TK100E08N1,S1X
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
57
ČÍSLO DIELU
TK100E08N1,S1X-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.64
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
AOTF288L
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
AOTF288L-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.75
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFE36N100
MOSFET N-CH 1000V 33A SOT227B
IXTP15N50L2
MOSFET N-CH 500V 15A TO220AB
IXFN170N25X3
MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B
