Výrobca Číslo produktu:
IXFE80N50
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFE80N50-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 72A (Tc) 580W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventár:
12819209
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFE80N50 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
HiPerFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
72A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
55mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 8mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
380 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
9890 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
580W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-227B
Balenie / puzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Základné číslo produktu
IXFE80
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STE53NC50
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STE53NC50-DG
CENA ZA JEDNOTKU
30.09
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
APT58M50JU2
VÝROBCA
Microchip Technology
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
APT58M50JU2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
29.41
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXFN110N60P3
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
15
ČÍSLO DIELU
IXFN110N60P3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
30.78
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTH16P20
MOSFET P-CH 200V 16A TO247
IXFB72N55Q2
MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264
MKE38P600LB-TUB
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
