Výrobca Číslo produktu:
IXFH12N100
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFH12N100-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 12A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventár:
12819232
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFH12N100 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
HiPerFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1000 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.05Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 4mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4000 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
300W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247AD (IXFH)
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IXFH12
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
IXFH12N100-NDR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STW6N95K5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
280
ČÍSLO DIELU
STW6N95K5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.17
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRFPG30PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
124
ČÍSLO DIELU
IRFPG30PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.48
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STW11NK90Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
550
ČÍSLO DIELU
STW11NK90Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.17
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXKP24N60C5M
MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220ABFP
IXTH1N170DHV
MOSFET N-CH 1700V 1A TO247HV
IXFH20N100P
MOSFET N-CH 1000V 20A TO247AD