Výrobca Číslo produktu:
IXFH150N17T2
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFH150N17T2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 175V 150A TO247AD
Podrobný popis:
N-Channel 175 V 150A (Tc) 880W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventár:
29 Ks Nové Originálne Na Sklade
12914686
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFH150N17T2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, TrenchT2™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
175 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
150A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
233 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
14600 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
880W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247AD (IXFH)
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IXFH150
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI1302DL-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
SI7392DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
SI2303BDS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
