Výrobca Číslo produktu:
IXFH180N20X3
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFH180N20X3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 180A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 180A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventár:
553 Ks Nové Originálne Na Sklade
12820202
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFH180N20X3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Ultra X3
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
180A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 4mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
154 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
10300 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
780W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247 (IXTH)
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IXFH180
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTA36N20T
MOSFET N-CH 200V 36A TO263
IXFT120N30X3HV
MOSFET N-CH 300V 120A TO268HV
IXFQ21N50Q
MOSFET N-CH 500V 21A TO3P
