Výrobca Číslo produktu:
IXFH30N85X
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFH30N85X-DG
Popis:
MOSFET N-CH 850V 30A TO247AD
Podrobný popis:
N-Channel 850 V 30A (Tc) 695W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventár:
12821567
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFH30N85X Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Ultra X
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
850 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
220mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2460 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
695W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247 (IXTH)
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IXFH30
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SCT20N120
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
580
ČÍSLO DIELU
SCT20N120-DG
CENA ZA JEDNOTKU
10.66
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
SCT3160KLGC11
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2223
ČÍSLO DIELU
SCT3160KLGC11-DG
CENA ZA JEDNOTKU
5.38
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFA230N075T2-7
MOSFET N-CH 75V 230A TO263-7
IXTH60N30T
MOSFET N-CH 300V 60A TO247
IXTT26N60P
MOSFET N-CH 600V 26A TO268