Výrobca Číslo produktu:
IXFH34N65X2
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFH34N65X2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 34A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventár:
89 Ks Nové Originálne Na Sklade
12820623
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFH34N65X2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Ultra X2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
34A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
105mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3330 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
540W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247 (IXTH)
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IXFH34
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
IXFH34N65X2XINACTIVE
IXFH34N65X2X
IXFH34N65X2X-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFX24N90Q
MOSFET N-CH 900V 24A PLUS247-3
IXTH68P20T
MOSFET P-CH 200V 68A TO247
IXFT340N075T2
MOSFET N-CH 75V 340A TO268