Výrobca Číslo produktu:
IXFH67N10
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFH67N10-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 67A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventár:
12822199
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFH67N10 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™
Stav produktu
Last Time Buy
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
67A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
25mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 4mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4500 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
300W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247AD (IXFH)
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IXFH67
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFH110N10P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXFH110N10P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.80
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRFP3710PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
13987
ČÍSLO DIELU
IRFP3710PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.25
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
HUF75639G3
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
415
ČÍSLO DIELU
HUF75639G3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.49
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTA130N10T7
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
IXFH11N80
MOSFET N-CH 800V 11A TO247AD
IXTA110N055T2
MOSFET N-CH 55V 110A TO263