Výrobca Číslo produktu:
IXFH80N20Q
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFH80N20Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 80A TO247AD
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 80A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventár:
12821810
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFH80N20Q Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
HiPerFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
28mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 4mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4600 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
360W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247AD (IXFH)
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IXFH80
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
IXFH80N20Q-NDR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFP4227PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1028
ČÍSLO DIELU
IRFP4227PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.02
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXFH80N25X3
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
21
ČÍSLO DIELU
IXFH80N25X3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
6.17
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
STW75NF20
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STW75NF20-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.14
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFH170N25X3
MOSFET N-CH 250V 170A TO247
IXTA10P50P-TRL
MOSFET P-CH 500V 10A TO263
IXTP20N65X
MOSFET N-CH 650V 20A TO220
