Výrobca Číslo produktu:
IXFH80N65X2
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFH80N65X2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 80A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventár:
12821231
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFH80N65X2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Ultra X2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
40mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.5V @ 4mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
8245 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
890W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247 (IXTH)
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IXFH80
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
IXFH80N65X2XINACTIVE
IXFH80N65X2X-DG
632463
IXFH80N65X2X
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FCH041N60E
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
130
ČÍSLO DIELU
FCH041N60E-DG
CENA ZA JEDNOTKU
7.29
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPW60R045CPFKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2367
ČÍSLO DIELU
IPW60R045CPFKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
11.45
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPW60R040C7XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
464
ČÍSLO DIELU
IPW60R040C7XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
6.74
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
APT77N60BC6
VÝROBCA
Microchip Technology
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3
ČÍSLO DIELU
APT77N60BC6-DG
CENA ZA JEDNOTKU
10.10
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
SCT3030ALGC11
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
10017
ČÍSLO DIELU
SCT3030ALGC11-DG
CENA ZA JEDNOTKU
21.41
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFN130N30
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
IXFN300N10P
MOSFET N-CH 100V 295A SOT227B
IXTA180N055T
MOSFET N-CH 55V 180A TO263
