Výrobca Číslo produktu:
IXFH9N80Q
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFH9N80Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 9A TO247AD
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 9A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventár:
12819707
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFH9N80Q Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
HiPerFET™, Q Class
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 2.5mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2200 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
180W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247AD (IXFH)
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IXFH9
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SPW17N80C3FKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
452
ČÍSLO DIELU
SPW17N80C3FKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.35
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STW10NK80Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
39
ČÍSLO DIELU
STW10NK80Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.27
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
SPW11N80C3FKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2520
ČÍSLO DIELU
SPW11N80C3FKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.49
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFS23N20DTRRP
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
IXFP4N100Q
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
IXFK120N25
MOSFET N-CH 250V 120A TO264AA
