Výrobca Číslo produktu:
IXFJ26N50P3
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFJ26N50P3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 14A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 14A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventár:
30 Ks Nové Originálne Na Sklade
12821305
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFJ26N50P3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Polar3™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
14A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
265mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 4mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2220 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
180W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247 (IXTH)
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
IXFJ26
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
-IXFJ26N50P3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFK98N50P3
MOSFET N-CH 500V 98A TO264AA
IXFK14N100Q
MOSFET N-CH 1000V 14A TO264AA
IXTF1R4N450
MOSFET N-CH 4500V 1.4A I4PAC
