Výrobca Číslo produktu:
IXFK102N30P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFK102N30P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 300V 102A TO264AA
Podrobný popis:
N-Channel 300 V 102A (Tc) 700W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Inventár:
17 Ks Nové Originálne Na Sklade
12820816
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFK102N30P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Polar
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
300 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
102A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
33mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 4mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
224 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
7500 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
700W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-264AA (IXFK)
Balenie / puzdro
TO-264-3, TO-264AA
Základné číslo produktu
IXFK102
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
25
Iné mená
-IXFK102N30P
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFT120N25X3HV
MOSFET N-CH 250V 120A TO268HV
IXFE24N100
MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B
IXFN55N50
MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
