IXFK25N90
Výrobca Číslo produktu:

IXFK25N90

Product Overview

Výrobca:

IXYS

Číslo dielu:

IXFK25N90-DG

Popis:

MOSFET N-CH 900V 25A TO264AA
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 25A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)

Inventár:

12909210
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IXFK25N90 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
HiPerFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
900 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
25A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
330mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 8mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
10800 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
560W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-264AA (IXFK)
Balenie / puzdro
TO-264-3, TO-264AA
Základné číslo produktu
IXFK250

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
25

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
IXFK40N90P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
235
ČÍSLO DIELU
IXFK40N90P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
17.53
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

IRLR014PBF

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

vishay-siliconix

IRLI630G

MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220-3

littelfuse

IXTK120N25

MOSFET N-CH 250V 120A TO264

vishay-siliconix

IRF710STRLPBF

MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK