Výrobca Číslo produktu:
IXFK33N50
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFK33N50-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 33A TO264AA
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 33A (Tc) 416W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Inventár:
12820821
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFK33N50 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
HiPerFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
33A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
160mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 4mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
227 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5700 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
416W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-264AA (IXFK)
Balenie / puzdro
TO-264-3, TO-264AA
Základné číslo produktu
IXFK33
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
25
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXFK36N60P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXFK36N60P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
8.34
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFB52N90P
MOSFET N-CH 900V 52A PLUS264
IXTP4N70X2M
MOSFET N-CH 700V 4A TO220
IXFH14N100Q2
MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
