IXFK90N30
Výrobca Číslo produktu:

IXFK90N30

Product Overview

Výrobca:

IXYS

Číslo dielu:

IXFK90N30-DG

Popis:

MOSFET N-CH 300V 90A TO-264
Podrobný popis:
N-Channel 300 V 90A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)

Inventár:

12908970
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IXFK90N30 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
300 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
33mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 8mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
360 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
10000 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
560W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-264AA (IXFK)
Balenie / puzdro
TO-264-3, TO-264AA
Základné číslo produktu
IXFK90

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
25

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
IXFK140N30P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
202
ČÍSLO DIELU
IXFK140N30P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
13.24
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

IRFBF20STRLPBF

MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

littelfuse

IXFT26N60P

MOSFET N-CH 600V 26A TO268

vishay-siliconix

IRF730SPBF

MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK

vishay-siliconix

IRFD310PBF

MOSFET N-CH 400V 350MA 4DIP