Výrobca Číslo produktu:
IXFM15N60
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFM15N60-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 15A TO204AE
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE
Inventár:
12821698
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFM15N60 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
HiPerFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
15A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
500mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 4mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4500 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
300W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-204AE
Balenie / puzdro
TO-204AE
Základné číslo produktu
IXFM15
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
20
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SIHG15N60E-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
SIHG15N60E-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.40
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFT60N65X2HV
MOSFET N-CH 650V 60A TO268HV
IXTH250N075T
MOSFET N-CH 75V 250A TO247
IXFX66N50Q2
MOSFET N-CH 500V 66A PLUS247-3
