Výrobca Číslo produktu:
IXFN320N17T2
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFN320N17T2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 170V 260A SOT227B
Podrobný popis:
N-Channel 170 V 260A (Tc) 1070W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventár:
12819306
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
ou0m
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFN320N17T2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, TrenchT2™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
170 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
260A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.2mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 8mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
640 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
45000 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1070W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-227B
Balenie / puzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Základné číslo produktu
IXFN320
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFR4N100Q
MOSFET N-CH 1000V 3.5A ISOPLS247
IXTX4N300P3HV
MOSFET N-CH 3000V 4A TO247PLUSHV
IRLR3715Z
MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
