Výrobca Číslo produktu:
IXFN50N120SIC
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFN50N120SIC-DG
Popis:
SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 47A (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventár:
15 Ks Nové Originálne Na Sklade
12820664
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFN50N120SIC Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
47A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
20V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
50mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.4V @ 10mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
100 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+20V, -5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1900 pF @ 1000 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
-
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-227B
Balenie / puzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Základné číslo produktu
IXFN50
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFP30N25X3
MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO220
IXTQ110N055P
MOSFET N-CH 55V 110A TO3P
IXFH36N55Q
MOSFET N-CH 550V 36A TO247AD
