Výrobca Číslo produktu:
IXFN66N50Q2
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFN66N50Q2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 66A (Tc) 735W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventár:
12820884
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFN66N50Q2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
HiPerFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
66A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
80mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 8mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
199 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6800 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
735W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-227B
Balenie / puzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Základné číslo produktu
IXFN66
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STE53NC50
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STE53NC50-DG
CENA ZA JEDNOTKU
30.09
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXFN80N50Q3
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
10
ČÍSLO DIELU
IXFN80N50Q3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
38.11
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTE250N10
MOSFET N-CH 100V 250A SOT227B
IXTF250N075T
MOSFET N-CH 75V 140A I4PAC
IXFN38N80Q2
MOSFET N-CH 800V 38A SOT227B
