Výrobca Číslo produktu:
IXFN82N60Q3
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFN82N60Q3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 66A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventár:
50 Ks Nové Originálne Na Sklade
12821952
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFN82N60Q3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Q3 Class
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
66A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
75mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
6.5V @ 8mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
275 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
13500 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
960W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-227B
Balenie / puzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Základné číslo produktu
IXFN82
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
10
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTH52P10P
MOSFET P-CH 100V 52A TO247
IXFN210N30X3
MOSFET N-CH 300V 210A SOT227B
IXFC22N60P
MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220
