Výrobca Číslo produktu:
IXFP10N60P
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFP10N60P-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
70 Ks Nové Originálne Na Sklade
12821704
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
dPqU
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFP10N60P Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Polar
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
740mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1610 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
200W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IXFP10
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTN170P10P
MOSFET P-CH 100V 170A SOT227B
IXTP170N075T2
MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
IXTQ30N50L2
MOSFET N-CH 500V 30A TO3P