IXFP18N65X2
Výrobca Číslo produktu:

IXFP18N65X2

Product Overview

Výrobca:

IXYS

Číslo dielu:

IXFP18N65X2-DG

Popis:

MOSFET N-CH 650V 18A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-220

Inventár:

300 Ks Nové Originálne Na Sklade
13271055
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IXFP18N65X2 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Ultra X2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
200mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 1.5mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1520 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
290W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IXFP18

Technické údaje a dokumenty

Technické listy
IXF(A,H,P)18N65X2 Datasheet Building, Home Automation Appl Guide

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50
Iné mená
238-IXFP18N65X2

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
littelfuse

IXTU4N70X2

MOSFET N-CH 700V 4A TO251

littelfuse

IXTT11P50-TRL

MOSFET P-CH 500V 11A TO268

littelfuse

MMIX1T660N04T4

MOSFET N-CH 40V 660A 24SMPD

littelfuse

IXTA08N120P-TRL

MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263