Výrobca Číslo produktu:
IXFP30N25X3M
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFP30N25X3M-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 30A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 30A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Inventár:
287 Ks Nové Originálne Na Sklade
12821576
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFP30N25X3M Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Ultra X3
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
60mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 500µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1450 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
36W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220 Isolated Tab
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Základné číslo produktu
IXFP30
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
-IXFP30N25X3M
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXTQ82N25P
MOSFET N-CH 250V 82A TO3P
IXTA200N085T
MOSFET N-CH 85V 200A TO263
IXTK400N15X4
MOSFET N-CH 150V 400A TO264
