Výrobca Číslo produktu:
IXFP34N65X2M
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFP34N65X2M-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 34A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 34A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Inventár:
285 Ks Nové Originálne Na Sklade
12819184
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFP34N65X2M Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Ultra X2
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
34A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
100mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 1.5mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3230 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
40W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220 Isolated Tab
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Základné číslo produktu
IXFP34
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
-IXFP34N65X2M
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFK48N60Q3
MOSFET N-CH 600V 48A TO264AA
IXTH80N20L
MOSFET N-CH 200V 80A TO247
IXTP32N65X
MOSFET N-CH 650V 32A TO220-3
