Výrobca Číslo produktu:
IXFP7N80PM
Product Overview
Výrobca:
IXYS
Číslo dielu:
IXFP7N80PM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 3.5A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 3.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
12820800
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IXFP7N80PM Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
Tube
Seriál
HiPerFET™, Polar
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1890 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
50W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IXFP7N80
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPP80R1K4P7XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
507
ČÍSLO DIELU
IPP80R1K4P7XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.47
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STP7NK80ZFP
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
817
ČÍSLO DIELU
STP7NK80ZFP-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.18
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STF6N80K5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
998
ČÍSLO DIELU
STF6N80K5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.97
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IXFX180N10
MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247
IXFL30N120P
MOSFET N-CH 1200V 18A I5PAK
IXFK150N10
MOSFET N-CH 100V 150A TO264AA
