IXFP8N50P3
Výrobca Číslo produktu:

IXFP8N50P3

Product Overview

Výrobca:

IXYS

Číslo dielu:

IXFP8N50P3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 8A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventár:

12909856
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IXFP8N50P3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Littelfuse
Balenie
-
Seriál
HiPerFET™, Polar3™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
800mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 1.5mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
705 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
180W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IXFP8N50

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
IXFP12N50P
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
300
ČÍSLO DIELU
IXFP12N50P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.71
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

IRFSL9N60A

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO262-3

littelfuse

IXFA24N60X

MOSFET N-CH 600V 24A TO263AA

vishay-siliconix

IRF530STRLPBF

MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK

vishay-siliconix

IRF9520PBF

MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB